東芝半導體與儲存產品公司昨（22日）宣布推出領先業界之全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產品，其具備低導通電阻和高速之優良表現， U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇，以滿足製造商各式需求。回應市場期待與需求，系列產品即日起開始出貨。
此MOSFET新品利用東芝低電壓最新世代溝槽結構之U-MOS九代製程以達到領先業界[1]的低導通電阻及高速表現，其全新結構有效降低“RDS(ON) * Qsw[2]，藉由降低輸出電荷以改善輸出時所產生之損耗，有助提高產品效率；此外，全新MOSFET利用優化其晶粒結構抑制切換時產出之湧浪電壓及振鈴，有效降低電磁干擾，此產品之創新研發已超越目前東芝現有產品[3]。全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET系列有13個40V與5個45V產品是專為工業及消費性產品應用所設計，包含：高效率直流-直流轉換器、高效率交流-直流轉換器，電源供應器和馬達驅動器。
全新MOSFET產品陣容主要特性
- 領先業界[1]低導通電阻
RDS(ON)= 0.80 mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPWR8004PL)
RDS(ON)= 0.99 mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPW1R005PL) - 低輸出電荷
- 高速表現
- 低切換雜訊
- 提供4.5V邏輯準位驅動